崗位職責(zé)：
1.進(jìn)行碳化硅MOSFET, IGBT, SBD等功率半導(dǎo)體的器件及工藝仿真,版圖設(shè)計(jì)和工藝流程制定；
2.器件封裝，測(cè)試，特性及失效分析；
3.工藝和設(shè)計(jì)方案優(yōu)化，提高產(chǎn)品性能及良率；

崗位要求：
1.本科及以上學(xué)歷，具備半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件物理背景，熟悉MOSFET，IGBT, SBD等功率半導(dǎo)體的產(chǎn)品開發(fā)流程；
2.具備1年以上半導(dǎo)體器件仿真經(jīng)驗(yàn)；
3.具有在芯片/器件企業(yè)中仿真設(shè)計(jì)器件經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先，有Synopsys或Silvaco工藝仿真軟件使用經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；
4.具有Wafer Fab實(shí)際經(jīng)驗(yàn)和MOSFET，IGBT, SBD等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的實(shí)際開發(fā)/生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)；
5.熟悉版圖設(shè)計(jì)(Layout Design)和器件仿真(TCAD Simulation)。

福利待遇：

1、提供行業(yè)內(nèi)有競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬待遇，有能力者薪酬不設(shè)上限，同時(shí)提供簽字費(fèi)，過節(jié)費(fèi)，項(xiàng)目獎(jiǎng)，季度獎(jiǎng)，年終獎(jiǎng)，期權(quán)獎(jiǎng)勵(lì)，薪資優(yōu)厚；

工作地點(diǎn)：杭州或北京或深圳