4月26日，博世官網(wǎng)發(fā)布公告，公司計劃收購位于加利福尼亞州羅斯維爾的美國芯片制造商 TSI Semiconductors 的資產(chǎn)。該公司擁有 250 名員工，是專用集成電路 (ASIC) 的代工廠。目前，它主要開發(fā)和生產(chǎn) 200mm硅晶圓上的大量芯片，用于移動、電信、能源和生命科學行業(yè)的應用。 

據(jù)悉，博世和 TSI 半導體已達成協(xié)議，暫未披露交易的任何財務細節(jié)。此外，該交易有待美國監(jiān)管部門的批準。

在接下來的幾年里，博世打算在羅斯維爾工廠投資超過 15 億美元，并將 TSI 半導體制造設施轉(zhuǎn)變?yōu)樽钕冗M的工藝。從 2026 年開始，將在基于創(chuàng)新材料碳化硅 (SiC) 的 200 mm(8吋)晶圓上生產(chǎn)第一批芯片。

汽車行業(yè)對芯片的需求仍然很高。到 2025 年，博世預計每輛新車平均會集成 25 顆芯片。碳化硅芯片市場也在繼續(xù)快速增長——平均每年增長 30%。這種增長的主要驅(qū)動力是全球電動汽車的繁榮和發(fā)展。在電動汽車中，SiC 芯片可減少高達 50% 的能源消耗，從而實現(xiàn)更遠的續(xù)航里程和更高效的充電。安裝在這些車輛的電力電子設備中，它們確保車輛一次充電可以行駛更長的距離——平均而言，可能的行駛距離比硅基芯片多 6%。

基于此，博世正在通過SiC芯片擴展其半導體業(yè)務，并將在 2030 年底之前顯著擴展其全球 SiC 芯片產(chǎn)品組合。

博世于2019年10月在德國正式宣布其開始碳化硅相關(guān)業(yè)務，并于2021年底起就在德國羅伊特林根工廠大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅芯片，以應用于電動和混動汽車的電力電子器件中。目前，針對該工廠規(guī)劃已經(jīng)過多次修改，投資金額和產(chǎn)能不斷提升。

2022年7月，博世宣布，到2026年前，將在半導體業(yè)務上投資30億歐元。作為投資的一部分，博世將投入超過1.7億歐元在德國羅伊特林根和德累斯頓建立兩個全新的芯片研發(fā)中心。其中，羅伊特林根的碳化硅潔凈室空間將從大約35000平方米擴大到44000多平方米，目的是開發(fā)和制造碳化硅芯片，目標產(chǎn)能是數(shù)億顆。

同時，博世還計劃在未來一年內(nèi)再投入2.5億歐元，在德累斯頓晶圓廠增設3000平方米的無塵車間。

博世管理委員會主席 Stefan Hartung 博士表示："通過收購TSI Semiconductors，我們正在一個重要的銷售市場建立 SiC 芯片的制造能力，同時也在全球范圍內(nèi)增加我們的半導體制造。 羅斯維爾現(xiàn)有的潔凈室設施和專家人員將使我們能夠更大規(guī)模地制造用于電動汽車的 SiC 芯片。"羅斯維爾的新工廠將加強博世的國際半導體制造網(wǎng)絡。從 2026 年開始，在重組之后，首批 SiC 芯片將在大約 10,000 平方米潔凈室中將在 200 毫米晶圓上生產(chǎn)首批 SiC 芯片。早期，博世投資于碳化硅芯片的研發(fā)和生產(chǎn)。自 2021 年以來，博世一直在使用自己專有的、高度復雜的工藝在其位于斯圖加特（Stuttgart）附近的羅伊特林根（Reutlingen）工廠大規(guī)模生產(chǎn)碳化硅芯片。未來，羅伊特林根工廠還將在 200 mm晶圓上生產(chǎn)芯片。到 2025 年底，博世將把羅伊特林根的潔凈室面積從大約 35,000 平方米擴大到 44,000 多平方米。博世管理委員會成員兼移動解決方案業(yè)務部門主席 Markus Heyn 博士表示："SiC 芯片是電動汽車的關(guān)鍵部件。